Напомена: У току је миграција целокупног садржаја на нови сајт факултета. Уколико нисте у могућности да пронађете неку информацију овде, молимо покушајте на http://old.elfak.ni.ac.rs

Данијел М. Данковић

Контакт

  • мејл: Ова адреса ел. поште је заштићена од спамботова. Омогућите JavaScript да бисте је видели.
  • тел: 381 (18) 529-325

Академска каријера

  • Изабран у звање асистент 2013. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника и микросистеми
  • Докторирао 2009. године на Електронском факултету у Нишу, област Нанотехнологије и микросистеми
  • Магистрирао 2006. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника
  • Дипломирао 2001. године на Електронском факултету у Нишу, област Електроника и телекомуникацијe

Изабране референце

  • A. Prijić, D. Danković, Lj. Vračar, I. Manić, Z. Prijić and N. Stojadinović, “A method for negative bias instability (NBTI) measurements on power VDMOS transistors”, Measurement Science and Technology, vol.23, pp. 8 (2012), ISSN 0957-0233 (Print), 1361-6501 (Online), DOI: 10.1088/0957-0233/23/8/085003
  • I. Manić, D. Danković, A. Prijić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, Z. Prijić and N. Stojadinović, “NBTI related degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs under the static under the static and pulsed NBT stress conditions”, Microelectronics Reliability, vol. 51, pp. 1540-1543 (2011), ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2011.06.004
  • S. Djorić-Veljković, I. Manić, V. Davidović, D. Danković, S. Golubović, and N. Stojadinović, “Annealing of Radiation-Induced Defects in Burn-in Stressed Power VDMOSFETs”, Nuclear Technology & Radiation Protection, vol. 26, No. 1, pp. 18-24 (2011), ISSN 1451-3994, DOI: 10.2298/NTRP1101018D
  • N. Stojadinović, D. Danković, I. Manić, A. Prijić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović and Z. Prijić, “Threshold voltage instabilities in p-channel power VDMOSFETs under pulsed NBT stress”, Microelectronics Reliability, vol. 50, pp. 1278-1282 (2010), ISSN 0026-2714, DOI:10.1016/j.microrel.2010.07.122
  • I. Manić, D. Danković, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, S. Golubović and N. Stojadinović, “Effects of low gate bias annealinig in NBT stressed n-channel power VDMOSFETs”, Microelectronics Reliability, vol. 49, pp. 1003-1007 (2009), ISSN 0026-2714, DOI:10.1016/j.microrel.2009.07.010
  • D. Danković, I. Manić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović and N. Stojadinović, “Negative bias temperature instability in n-channel power VDMOSFETs”, Microelectronics Reliability, vol. 48, pp. 1313-1317 (2008), ISSN 0026-2714, DOI:10.1016/j.microrel.2008.06.015
  • V. Davidović, N. Stojadinović, D. Danković, S. Golubović, I. Manić, S. Djorić-Veljković and S. Dimitrijev, “Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-Channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 47, pp. 6272-6276 (2008), ISSN 1347-4065 (online) 0021-4922 (print) DOI:10.1143/JJAP.47.6272
  • I. Manić, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, D. Danković, S. Golubović, N. Stojadinović, “Mechanisms of spontaneous recovery in DC gate bias stressed power VDMOSFETs”, IET Circuits, Devices & Systems, vol. 2, no. 2, pp. 213-221 (2008), ISSN 1751-858X, DOI:10.1049/iet-cds:20070173
  • D. Danković, I. Manić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović and N. Stojadinović, “Negative bias temperature instabilities in sequentially stressed and annealed p-channel power VDMOSFETs”, Microelectronics Reliability, vol. 47, pp. 1400-1405 (2007), DOI:10.1016/j.microrel.2007.07.022
  • D. Danković, I. Manić, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, S. Golubović and N. Stojadinović, “NBT stress-induced degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs”, Microelectronics Reliability, vol. 46, pp. 1828-1833 (2006), ISSN 0026-2714, DOI:10.1016/j.microrel.2006.07.077

Активности

  • Укупан број радова у часописима са IMPACT фактором: 16
  • Тренутно учешће на пројектима: Национални: 2; Интернационални: 1
  • Остали релевантни подаци: Учешће на пројектима: “Развој физички заснованих модела шума наноелектронских активних компонената намењених микро- и милиметарском таласном подручју”, “Физика, моделовање и карактеризација диелектричних слојева за МОС нанокомпоненте” и “Развој широкопојасних бежичних дистрибуционих система”.

Основни подаци

Адреса: Александра Медведева 14, 18115 Ниш
Тел: +381 (18) 529-105
Факс: +381 (18) 588-399
e-mail: efinfo@elfak.ni.ac.rs
ПИБ: 100232259
Текући рачун: 840-1721666-89

Факултет на друштвеним мрежама

© Електронски факултет у Нишу. Универзитет у Нишу. Сва права задржана.