Данијел М. Данковић

Контакт

  • мејл: Ова адреса ел. поште је заштићена од спамботова. Омогућите JavaScript да бисте је видели.
  • тел: 381 (18) 529-325

Академска каријера

  • Изабран у звање ванредни професор 2019. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника и микросистеми
  • Докторирао 2009. године на Електронском факултету у Нишу, област Нанотехнологије и микросистеми
  • Магистрирао 2006. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника
  • Дипломирао 2001. године на Електронском факултету у Нишу, област Електроника и телекомуникацијe
Image

Изабране референце

  • D. Danković, N. Mitrović, Z. Prijić, N. Stojadinović, “Modeling of NBTS Effects in P-Channel Power VDMOSFETs”, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 20, no. 1, pp. 204-213 (2020), ISSN 1530-4388, DOI: 10.1109/TDMR.2020.2974131, https://ieeexplore.ieee.org/document/8999737?source=authoralert
  • M. Djordjević, B. Jovičić, S. Marković, V. Paunović, D. Danković, “A smart data logger system based on sensor and Internet of Things technology as part of the smart faculty”, Journal of Ambient Intelligence and Smart Environments, vol. 12, no. 4, pp. 359-373 (2020), ISSN 1876-1364 (P), ISSN 1876-1372 (E), DOI: 10.3233/AIS-200569, https://content.iospress.com/journals/journal-of-ambient-intelligence-and-smart-environments/12/4
  • D. Danković, I. Manić, A. Prijić, V. Davidović, Z. Prijić, S. Golubović, S. Djorić-Veljković, A. Paskaleva, D. Spassov, N. Stojadinović, “A review of pulsed NBTI in P-channel power VDMOSFETs”, Microelectronics Reliability, vol. 82, pp. 28-36 (2018), ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2018.01.003, https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271418300039
  • N. Stojadinović, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, S. Golubović, S. Stanković, A. Prijić, Z. Prijić, I. Manić, D. Danković, “ NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors”, Microelectronics Reliability, vol. 88-90, pp. 135-141 (2018), ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2018.07.138, https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271418307224
  • D. Danković, I. Manić, V. Davidović, A. Prijić, M. Marjanović, A. Ilić, Z. Prijić, N. Stojadinović, “ On the recoverable and permanent components of NBTI in p-channel power VDMOSFETs”, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 16, no. 4, pp. 522-531 (2016), ISSN 1530-4388, DOI: 10.1109/TDMR.2016.2598557, http://ieeexplore.ieee.org/document/7536114/
  • V. Davidović, D. Danković, A. Ilić, I. Manić, S. Golubović, S. Djorić-Veljković, Z. Prijić, N. Stojadinović, “NBT and irradiation effects in Negative bias temperature instability in p-channel power VDMOSFET ”, IEEE Transaction on Nuclear Science, vol. 63, no. 2, pp. 1268-1275 (2016), ISSN 0018-9499, DOI: 10.1109/TNS.2016.2533866, http://ieeexplore.ieee.org/document/7454831/
  • D. Danković, I. Manić, A. Prijić, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, N. Stojadinović, Z. Prijić and S. Golubović, “Negative bias temperature instability in p-channel power VDMOSFETs: recoverable versus permanent degradation”, Semiconductor Science and Technology, vol. 30, no. 10, p. 105009 (9pp) (2015), ISSN 1361-6641, DOI: 10.1088/0268-1242/30/10/105009, http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/30/10/105009
  • D. Danković, N. Stojadinović, Z. Prijić, I. Manić, V. Davidović, A. Prijić, S. Djorić-Veljković and S. Golubović,“ Analysis of recoverable and permanent components of threshold voltage shift in NBT stressed p-channel power VDMOSFET”, Chinese Physics B, vol. 24, no. 10, pp. 106601-1-106601-9 (2015), ISSN 1674-1056, DOI: 10.1088/1674-1056/24/10/106601, http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/24/10/106601
  • D. Danković, Lj. Vračar, A. Prijić, and Z. Prijić, “An Electromechanical Approach to a Printed Circuit Board Design Course”, IEEE Transaction on Education, vol. 56, no. 4, pp. 470-477 (2013), ISSN: 0018-9359, DOI: 10.1109/TE.2013.2257784, http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6507652
  • A. Prijić, D. Danković, Lj. Vračar, I. Manić, Z. Prijić and N. Stojadinović, “A method for negative bias instability (NBTI) measurements on power VDMOS transistors”, Measurement Science and Technology, vol.23, p. 8 (2012), ISSN 0957-0233 (Print), 1361-6501 (Online), DOI: 10.1088/0957-0233/23/8/085003, http://iopscience.iop.org/0957-0233/23/8/085003/

Активности

  • Укупан број радова у часописима са IMPACT фактором: 30
  • Тренутно учешће на пројектима: Национални: 4; Интернационални: 1
  • Остали релевантни подаци: Шеф Катедре за микроелектронику. Помоћник едитора међународног часописа Microelectronics Reliability (ELSEVIER). Члан Извршног одбора IEEE друштва Србије и Црне Горе. Председник научне конференције студентских радова IEEESTEC. Списак публикација: https://www.npao.ni.ac.rs/elektronski-fakultet/540-danijel-m-dankovic/540-danijel-m-dankovic

Основни подаци

Адреса: Александра Медведева 14, 18115 Ниш
Тел: +381 (18) 529-105
Факс: +381 (18) 588-399
e-mail: efinfo@elfak.ni.ac.rs
ПИБ: 100232259
Текући рачун: 840-1721666-89

Факултет на друштвеним мрежама