Сања Алексић

Контакт

  • мејл: Ова адреса ел. поште је заштићена од спамботова. Омогућите JavaScript да бисте је видели.
  • тел: 381 (18) 529-403

Академска каријера

  • Изабрана у звање доцент 2018. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника и микросистеми
  • Докторирала 2015. године на Електронском факултету у Нишу, област Примењена физика.
  • Магистрирала 2009. године на Електронском факултету у Нишу, област Примењена физика.
  • Дипломирала 1995. године на Филозофском факултету у Нишу, на групи за Физику, смер Општа физика.
Image

Изабране референце

  • Dragana Markušev, Dragan Markušev, Sanja Aleksić, Dragan Pantić, Slobodanka Galović, D. M. Todorović, Jose Ordonez-Miranda, „ Experimental Photoacoustic observation of the Photogenerated Excess Carrier Influence on the Thermoelastic Response of n-type Silicon“, Journal of Applied Physics, vol. 128, no. 9, September 2020. https://doi.org/10.1063/5.0015657
  • N. Jovančić, D.K. Markushev, D.D. Markudhev, S.M. Aleksić, D.S. Pantić, D. Korte, M. Franko: "Thermal and Elastic Characterization of Nanostructured Fe2O3 Polymorphs and TiO2-Coated Fe2O3 Using Open Photoacoustic Cell", International Journal of Thermophysics (2020), DOI :10.1007/s10765-020-02669-w."
  • D.K. Markushev, D.D. Markudhev, S.M. Aleksić, D.S. Pantić, S. Galovic, D. Todorovic, J. Ordonez-Miranda: "Effects of the photogenerated excess carriers on the thermal and elastic properties of n-type silicon excited with a modulated light source: Theoretical analysis" Journal of Applied Physics, 126, 185102 (2019), DOI: 10.1063/1.5100837
  • Sanja Aleksić, Aleksandar Pantić, Dragan Pantić, “High electric field stress model of n-channel VDMOSFET based on artificial neural network”, Journal of Computational Electronics, pp. 1-10, April 2018. https://doi.org/10.1007/s10825-018-1167-z
  • Sanja Aleksić, Biljana Pešić, Dragan Pantić, “Simulation of semiconductor bulk trap influence on the electrical characteristics of the n-channel power VDMOS transistor”, Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronics Components and Materials, vol. 43, no. 2, pp. 124-130, 2013. (M23 – 0.277).
  • Sanja Aleksić, A. Jakšić, M. Pejović, „Repeating of positive and negative high electric field stress and corresponding thermal post-stress annealing of the n-channel power VDMOSFETs“, Solid-State Electronics, Vol. 52, Issue 8, pp. 1197-1201, 2008.
  • Aleksandar Jakšić, Momčilo Pejović, Goran Ristić, Sanja Raković, ”Latent interface-trap generation in commercial power VDMOSFETs”, IEEE Trans. Nucl. Sci., Vol. 45, No. 3, pp. 1365-1371, 1998.
  • Sanja Aleksić, Dragana Markushev, Dragan Pantić, Mihajlo Rabasović, Dragan Markushev, Dragan Todorović, „Electro-acustic influence of the measuring system on the photoacoustic signal amplitude and phase in frequency domain“, Facta universitatis - series Physics Chemistry and Technology 14(1):9-20 · January 2016.
  • Dragana Markušev, Dragan Markušev, Sanja Aleksić, Dragan Pantić, Slobodanka Galović, D. M. Todorović, Jose Ordonez-Miranda, „ Experimental Photoacoustic observation of the Photogenerated Excess Carrier Influence on the Thermoelastic Response of n-type Silicon“, Journal of Applied Physics, vol. 128, no. 9, September 2020. https://doi.org/10.1063/5.0015657
  • Sanja Aleksić, Danijela Pantić, Dragan Pantić, „The Influence of Interface and Semiconductor Bulk Traps Generated Under HEFS on MOSFET`s Electrical Characteristics“, Proc. of 4th Small Sistem Simulation Symposium – SSSS 2014, Niš, Serbia, Februaru 2014.

Активности

  • Укупан број радова у часописима са IMPACT фактором: 9.
  • Тренутно учешће на пројектима: Национални: - ; Интернационални: -
  • Остали релевантни подаци:

Основни подаци

Адреса: Александра Медведева 14, 18115 Ниш
Тел: +381 (18) 529-105
Факс: +381 (18) 588-399
e-mail: efinfo@elfak.ni.ac.rs
ПИБ: 100232259
Текући рачун: 840-1721666-89

Факултет на друштвеним мрежама