Напомена: У току је миграција целокупног садржаја на нови сајт факултета. Уколико нисте у могућности да пронађете неку информацију овде, молимо покушајте на http://old.elfak.ni.ac.rs

Горан С. Ристић

Контакт

  • мејл: Ова адреса ел. поште је заштићена од спамботова. Омогућите JavaScript да бисте је видели.
  • тел: 381 (18) 529-329

Академска каријера

  • Изабран у звање редовни професор 2004. године на Електронском факултету у Нишу, област Примењена физика
  • Докторирао 1998. године на Електронском факултету у Нишу, област Физика полупроводника
  • Магистрирао 1994. године на Електронском факултету у Нишу, област Физика полупроводника
  • Дипломирао 1990. године на ПМФ у Нишу, област Физика

Изабране референце

  • G.S. Ristić, "Influence of ionizing radiation and hot carrier injection on metal-oxide-semiconductor transistors", Journal of Physics D: Applied Physics, Topical Review, 41, pp. 023001 (19 pp) (2008)
  • G.S. Ristić, M.M. Pejović, A.B. Jakšić, "Physico-chemical processes in metal–oxide–semiconductor transistors with thick gate oxide during high electric field stress", Journal of Non-Crystalline Solid, 353, pp. 170-179 (2007)
  • G. S. Ristić, M. M. Pejović, A. B. Jakšić, "Defect behaviors in n-channel power VDMOSFETs during HEFS and thermal post-HEFS annealing", Applied Surface Science, 252, pp. 3023-3032 (2006).
  • G. S. Ristić, M. M. Pejović, A. B. Jakšić, "Fowler-Nordheim high electric field stress of power VDMOSFETs", Solid-State Electronics, 49 (7), pp. 1140-1152 (2005)
  • W. Zhao, G. Ristić, J. A. Rowlands, "X-ray imaging performance of structured cesium iodide scintillators”, Medical Physics, 31(9), pp. 2594-2605 (2004)
  • G. S. Ristić, M. M. Pejović, A. B. Jakšić, "Comparison between post-irradiation annealing and post-high electric field stress annealing of n-channel power VDMOSFETs”, Applied Surface Science, 220, pp. 181-185 (2003)
  • M. M. Pejović, G. S. Ristić, J. P. Karamarković, "Electrical breakdown in low pressure gases", Journal of Physics D: Applied Physics, Topical Review, 35, R91-R103 (2002)
  • M. M. Pejović, G. S. Ristić, "Analysis of mechanisms which lead to electrical breakdown in a krypton-filled tube using the time delay method", Journal of Physics D: Applied Physics, 33 (21), pp. 2786-2790 (2000)
  • G. S. Ristić, M. Pejović, A. Jakšić, “Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealing'', Journal of Applied Physics, 83 (6), pp. 2994-3000, 1998
  • G. Ristić, A. Jakšić, M. Pejović, “pMOS dosimetric transistors with two-layer gate oxide”, Sensors and Actuators: A. Physical, A 63, pp. 129-134, 1997

Активности

  • Укупан број радова у часописима са IMPACT фактором: 46
  • Тренутно учешће на пројектима Национални: 1 ; Интернационални: 1
  • Остали релевантни подаци

Основни подаци

Адреса: Александра Медведева 14, 18115 Ниш
Тел: +381 (18) 529-105
Факс: +381 (18) 588-399
e-mail: efinfo@elfak.ni.ac.rs
ПИБ: 100232259
Текући рачун: 840-1721666-89

Факултет на друштвеним мрежама

© Електронски факултет у Нишу. Универзитет у Нишу. Сва права задржана.