Снежана М. Голубовић

Контакт

  • mail: Ова адреса ел. поште је заштићена од спамботова. Омогућите JavaScript да бисте је видели.
  • тел: 381 (18) 529-406

Академска каријера

  • Djorić-Veljković, I. Manić, V. Davidović, D. Danković, S. Golubović, and N. Stojadinović, “Annealing of Radiation-Induced Defects in Burn-in Stressed Power VDMOSFETs”, Nuclear Technology & Radiation Protection, vol. 26, No. 1, pp. 18-24 (2011), ISSN 1451-3994, DOI: 10.2298/NTRP1101018D, http://ntrp.vinca.rs/2011_1/Djoric-Veljkovic2011_1.html
  • Manić, D. Danković, A. Prijić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, Z. Prijić and N. Stojadinović, “NBTI related degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs under the static under the static and pulsed NBT stress conditions”, Microelectronics Reliability, vol. 51, pp. 1540-1543 (2011), ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2011.06.004 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271411001946
  • Danković, I. Manić, A. Prijić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, Z. Prijić and N. Stojadinović, “Effects of static and pulsed negative bias temperature stressing on lifetime in p-channel power VDMOSFETs”, Informacije MIDEM, Journal of Microlectronics, Electronic Components and Materials, vol. 43, no. 1, pp. 58-66 (2013), ISSN 0352-9045, UDK: 621.3:(53+54+621+66)(05)(497.1)=00, http://www.midem-drustvo.si/Journal%20papers/MIDEM_43%282013%291p58.pdf
  • Djorić-Veljković, I. Manić, V. Davidović, D. Danković, S. Golubović, and N. Stojadinović, “The Comparison of Gamma-Radiation and Electrical Stress Influences on Oxide and Interface Defects in Power VDMOSFET”, Nuclear Technology & Radiation Protection, vol. 28, No. 4, pp. 406-414 (2013), ISSN 1451-3994, UDC 621.039+614.876:504.06, DOI: 10.2298/NTRP1304406D, http://ntrp.vin.bg.ac.rs/2013_4/DjoricVeljkovic2013_4.htm
  • Djorić-Veljković, I. Manić, V. Davidović, D. Danković, S. Golubović and N. Stojadinović, “Annealing influence on recovery of electrically stressed power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 54, no. 6, pp. 064101-1-064101-7 (2015), ISSN 1347-4065 (online) 0021-4922 (print) DOI:10.7567/JJAP.54.064101, http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.54.064101/meta;jsessionid=DFF6F0F205410326914C50155654C1E1.c1.iopscience.cld.iop.org                                                           
  • Danković, I. Manić, A. Prijić, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, N. Stojadinović, Z. Prijić and S. Golubović, “Negative bias temperature instability in p-channel power VDMOSFETs: recoverable versus permanent degradation”, Semiconductor Science and Technology, vol. 30, no. 10, p. 105009 (9pp) (2015), ISSN 1361-6641, DOI: 10.1088/0268-1242/30/10/105009, http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/30/10/105009
  • Danković, N. Stojadinović, Z. Prijić, I. Manić, V. Davidović, A. Prijić, S. Djorić-Veljković and S. Golubović,“ Analysis of recoverable and permanent components of threshold voltage shift in NBT stressed p-channel power VDMOSFET”, Chinese Physics B, vol. 24, no. 10, pp. 106601-1-106601-9 (2015), ISSN 1674-1056, DOI: 10.1088/1674-1056/24/10/106601, http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/24/10/106601
  • Davidović, D. Danković, A. Ilić, I. Manić, S. Golubović, S. Djorić-Veljković, Z. Prijić, N. Stojadinović, “NBT and irradiation effects in Negative bias temperature instability in p-channel power VDMOSFET ”, IEEE Transaction on Nuclear Science, vol. 63, no. 2, pp. 1268-1275 (2016), ISSN 0018-9499, DOI: 10.1109/TNS.2016.2533866, http://ieeexplore.ieee.org/document/7454831/
  • Danković, I. Manić, A. Prijić, V. Davidović, Z. Prijić, S. Golubović, S. Djorić-Veljković, A. Paskaleva, D. Spassov, N. Stojadinović, “A review of pulsed NBTI in P-channel power VDMOSFETs”, Microelectronics Reliability, vol. 82, pp. 28-36 (2018), ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2018.01.003, https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271418300039
  • Stojadinović, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, S. Golubović, S. Stanković, A. Prijić, Z. Prijić, I. Manić, D. Danković, “ NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors”, Microelectronics Reliability, vol. 88-90, pp. 135-141 (2018), ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2018.07.138
Image

Изабране референце

  • S. Dimitrijev, S. Golubović, D. Župac, M. Pejović, and N. Stojadinović, Solid-State Electronics, Vol. 32 (5), pp. 349-353 (1989).
  • S. Golubović, M. Pejović, S. Dimitrijev, and N. Stojadinović, Physica Status Solidi (a), Vol. 129, pp. 569-575 (1992).
  • G. Ristić, S. Golubović, and M. Pejović, Electronics Letters, 29, p. 1644 (1993).
  • M. Pejović, S. Golubović, G. Ristić, and M. Odalović, Solid-State Electronics, Vol. 37 (1), pp. 215-216 (1994).
  • N. Stojadinović, S. Djorić, S. Golubović, and V. Davidović, Electronics Letters, Vol. 30, pp. 1192-1193 (1994).
  • S. Golubović, G. Ristić, M. Pejović, and S. Dimitrijev, Physica Status Solidi (a), Vol. 143, pp. 333-338 (1994).
  • G. Ristić, S. Golubović, and M. Pejović, Appl. Phys. Lett., Vol. 66, pp. 88-89 (1995).
  • S. Golubović, S. Djorić-Veljković, V. Davidović and N. Stojadinović, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38 (1), pp. 4699-4702 (1999).
  • N. Stojadinović, I. Manić, V. Davidović, D. Danković, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, S. Dimitrijev, Microelectron. Reliab., Vol. 45, pp. 115-122 – invited paper (2005).
  • D. Danković, I. Manić, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, S. Golubović, N. Stojadinović, Microelectron.Reliab., Vol. 46, pp. 1828-1833 (2006)
  • N. Stojadinović, I. Manić, V. Davidović, D. Danković, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, IEE Proc. Circuits, Devices and Systems, Vol. 153, pp 281-288 (2006).
  • I. Manić, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, D. Danković, S. Golubović, N. Stojadinović, , IET Circuits, Devices and Systems, vol. 2, no. 2, pp. 213-221 (2008)
  • V. Davidović, N. Stojadinović, D. Dankovi ć, S. Golubović, I. Manić, S. Djorić-Veljković, and S. Dimitrijev, Japanese J. Appl. Phys, Vol. 47, pp. 6272-6276 (2008)
  • D. Danković, I. Manić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, and N. Stojadinović, Microelectronics Reliability, vol. 48, no. 8-9, pp. 1313 - 1317 (2008)
  • D. Danković, I. Manić, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, S. Golubović, and N. Stojadinović, "Implications of Negative BiasTemperature Instability in Power MOS Transistors " in Micro Electronic and Mechanical Systems, ISBN: 978-953-307-027-8, edited by Kenichi Takahata, IN-TECH Press, Boca Raton, pp. 19.319-19.342 (2009)
  • I. Manić, D. Danković, S. Djorić-Veljković, V. Davidović, S. Golubović, and N. Stojadinović, Microelectronics Reliability, Vol. 49, no. 9-11, pp. 1003 - 1007 (2009)
  • N. Stojadinović, D. Danković, I. Manić, A. Prijić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, and Z. Prijić, Microelectronics Reliability, Vol. 50, no. 9-11, pp. 1278 - 1282 (2010)
  • S. Djorić-Veljković, I. Manić, V. Davidović, D. Danković, S. Golubović, and N. Stojadinović, Nuclear Technology & Radiation Protection, Vol. 26, no. 1, pp. 18 - 24 (2011)
  • I. Manić, D. Danković, A. Prijić, V. Davidović, S. Djorić-Veljković, S. Golubović, Z. Prijić, and N. Stojadinović, Microelectronics Reliability, vol. 51, no. 9-11, pp. 1540 - 1543 (2011)

Активности

  • Укупан број радова у часописима са IMPACT фактором: 46
  • Тренутно учешће на пројектима Национални: 1; Интернационални: 1
  • Остали релевантни подаци: Члан ИЕЕЕ, члан секретаријата Конференције МИЕЛ. Списак публикација: https://www.npao.ni.ac.rs/elektronski-fakultet/852-snezana-golubovic/852-snezana-golubovic

Основни подаци

Адреса: Александра Медведева 14, 18115 Ниш
Тел: +381 (18) 529-105
Факс: +381 (18) 588-399
e-mail: efinfo@elfak.ni.ac.rs
ПИБ: 100232259
Текући рачун: 840-1721666-89

Факултет на друштвеним мрежама