Контакт
- мејл: Ова адреса ел. поште је заштићена од спамботова. Омогућите JavaScript да бисте је видели.
тел: 381 (18) 529-327
Академска каријера
- Изабранa у звање асистент 2023. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника и микросистеми
- Мастер рад одбранила 2019. године на Електронском факултету у Нишу, област Електроника и микросистеми
- Дипломирала 2018. године на Електронском факултету у Нишу, област Електронске компоненте и микросистеми
Изабране референце
- S. Veljković, N. Mitrović, V. Davidović, S. Golubović, S. Djorić-Veljković, A. Paskaleva, D. Spassov, S. Stanković, M. Andjelković, Z. Prijić, I. Manić, A. Prijić, G. Ristić, D. Danković “Response of Commercial p-Channel Power VDMOS Transistors to Irradiation and Bias Temperature Stress” Journal of Circuits, Systems, and Computers, Volume 31, July 2022, p 2240003, 1-25, https://doi.org/10.1142/S0218126622400035
- D. Danković, V. Davidović, S. Golubović, S. Veljković, N. Mitrović, S. Djorić-Veljković, “Radiation and Annealing Related Effects in NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs” Microelectronics Reliability, Volume 126, November 2021, pp. 114273-1-5, ISSN: 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2021.114273, https://ezproxy.nb.rs:2055/journal/microelectronics-reliability/vol/126/suppl/C
- G. S. Ristić, S. D. Ilić, S. Veljković, A. S. Jevtić, S. Dimitrijević, A. J. Palma, S. Stanković, M. S. Andjelković, “Commercial P-Channel Power VDMOSFET as X-ray Dosimeter” Electronics, Volume 11, Issue 6, 2022, pp 918-1-12, https://doi.org/10.3390/electronics11060918
- E. Živanović, M. Živković, S. Veljković, “Study of Breakdown Voltage Stability of Gas-Filled Surge Arresters in the Presence of Gamma Radiation” Electronics, Volume 11, Issue 15, August 2022, p 2447, 1-15, https://doi.org/10.3390/electronics11152447
- S. Veljković, V. Mitić, V. Paunović, G. Lazović, M. Mohr, H. Fecht, “Analyses of the Surface Parameters in Polycrystalline Diamonds”, Serbian Journal of Electrical Engineering, Volume 17, No. 1, February 2020, pp. 111-129, ISSN: 1451-4869, DOI: https://doi.org/10.2298/SJEE2001111V, http://www.journal.ftn.kg.ac.rs/Vol_17-1/08-Veljkovic-Mitic-Paunovic-Lazovic-Mohr-Fecht.pdf
- S. Veljković, S. D. Ilić, R. Duane, M. S. Andjelković, A. J. Palma, G. S. Ristić, “Behaviour of pMOS dosimeters during and after X‐rays”, Jubilee 10th International Conference on Radiation in Various Fields of Research (RAD 2022) Spring Edition, 13-17 June, p 114, ISBN: 978-86-901150-4-4, https://www.rad-conference.org/RAD_2022_Spring_Book_of_Abstracts.pdf
- S. Veljković, N. Mitrović, S. Đorić-Veljković, V. Davidović, I. Manić, S. Golubović, D. Danković, “Gate oxide degradation of electronic components due to irradiation and bias temperature stress”, Advanced Ceramics and Applications IX, Belgrade, Serbia, 20-21 September 2021, p 62, ISBN: 978-86-915627-8-6, http://www.serbianceramicsociety.rs/doc/aca01-10/aca9/ACA-IX-2021-Book-of-Abstracts.pdf
- S. Veljković, N. Mitrović, V. Davidović, S. Đorić-Veljković, S. Golubović, E. Živanović, Z. Prijić, D. Danković, “Experimental setup and procedure for NBT stress and irradiation of VDMOS transistors”, Elicsir Project Symposium, Nis, Serbia, 25-27 January 2023, p. 50, http://www.symp.elicsir-project.eu/book_of_abstracts.php
- S. Veljković, N. Mitrović, “Elektrohemijski procesi odgovorni za nestabilnosti VDMOS tranzistora snage usled NBT naprezanja”, IEEESTEC 2022, 15th Student Projects Conference, Niš, 24 November 2022, pp. 293-297, http://ieee.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/2022/11/2022.pdf
Активности
- Укупан број радова у часописима са IMPACT фактором: 9
- Тренутно учешће на пројектима: Национални: - ; Интернационални: 1
- Остали релевантни подаци: члан управног одбора SSCS друштва (SSCS Chapters Steering Committee), председник IEEE ED/SSC University of Nis Student Branch Chapter-a, члан секретаријата конференције студентских пројеката IEEESTEC, међународног удружења Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) и Српског керамичког друштва (СКД).