Font size

Ивица Д. Манић

доцент

mail This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
тел 381 (18) 529-326
Ivica Manić

Академска каријера

  • Изабран у звање доцент 2006. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника и микросистеми
  • Докторирао 2006. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника и микросистеми
  • Специјализација 1988/89, Технолошки факултет Каназава (Јапан), Материјали за електронику
  • Магистрирао 1991. године на Технолошком факултету Каназава (Јапан), област Материјали за електронику
  • Дипломирао 1985. године на Електронском факултету у Нишу, област Микроелектроника

Референце

  • Aneta Prijić, Danijel Danković, Ljubomir Vračar, Ivica Manić, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, “A method for negative bias instability (NBTI) measurements on power VDMOS transistors”, Meas. Sci. Techn., Vol. 23, 2012, 085003 (pp. 8).
  • Ivica Manić, Elena Atanassova, Ninoslav Stojadinović, Dencho Spassov, Albena Paskaleva, “Hf-doped Ta2O5 stacks under constant voltage stress”, Microelectron. Engineering, Vol. 88, 2011, pp. 305-313.
  • Ivica Manić, Danijel Danković, Aneta Prijić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, “NBTI related degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs under the static and pulsed NBT stress conditions”, Microelectron. Reliab., Vol. 51, 2011, pp. 1540-1543.
  • Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Ivica Manić, Aneta Prijić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Zoran Prijić, “Threshold voltage instabilities in p-channel power VDMOSFETs under pulsed NBT stress”, Microelectron. Reliab., Vol. 50, 2010, pp. 1278-1282
  • Ivica Manić, Danijel Danković, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, “Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p-channel power VDMOSFETs”, Microelectron. Reliab., Vol. 49, 2009, pp. 1003-1007.
  • Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Sima Dimitrijev, “Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-Channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors”, Japanese J. Appl. Phys., Vol. 47, 2008, pp. 6272-6276.
  • Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, “Negative bias temperature instabilities in sequentially stressed and annealed p-channel power VDMOSFETs”, Microelectron. Reliab., Vol. 47, 2007, pp. 1400-1405.
  • Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Ivica Manić, Snežana Golubović, “Negative bias temperature instability mechanisms in p-channel power VDMOSFETs”, Microelectron. Reliab., Vol. 45, 2005, pp. 1343-1348.
  • Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, “Radiation Hardening of Power VDMOSFETs Using Electrical Stress”, Electronics Letters, Vol. 38, 2002, p.431.
  • Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, “Mechanisms of Positive Gate Bias Stress Induced Instabilities in Power VDMOSFETs”, Microelectron. Reliab., Vol. 41, 2001, pp. 1373-1378.

Активности

  • Укупан број радова у часописима са IMPACT фактором: 24
  • Тренутно учешће на пројектима Национални: 1; Интернационални: 1
  • Остали релевантни подациНострификацију дипломе магистра електротехничких наука стечене на Одсеку за електротехнику Технолошког факултета у Каназави (Јапан) извршило је Научно-наставно веће Електронског факултета у Нишу 1991. године.

Koнтакт

Адреса: Александра Медведева 14, 18106 Ниш

Тел: +381 (18) 529-105

Факс: +381 (18) 588-399

e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

ПИБ: 100232259

Текући рачун: 840-1721666-89